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博铭智芯

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  • 极海半导体

    极海半导体

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    •珠海极海半导体有限公司(以下简称“极海”),隶属于纳思达集团(002180),是一家专注于工业级/车规级微控制器、高性能模拟与混合信号IC及系统级芯片研发与设计的集成电路设计型企业。极海团队具备20年集成电路设计与嵌入式系统开发经验,在全球范围内拥有六大研发中心。主营:Arm® Cortex®-M0+/M3/M4F内核 , Arm v8.1-M架构Cortex-M52双核,工业级和汽车级微处理器。官网:www.geehy.com

  • 上海永铭

    上海永铭

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    上海永铭电子股份有限公司主要产品为:铝电解电容器、薄膜电容器、钽电容器、陶瓷电容器、超级电容器等各类新技术电容器,占地面积40000平方米(60亩),目前已经获得ISO9001、ISO14001、ISO45001以及IATF16949(汽车行业的国际标准)和军工体系认证等证书,产品符合国网计量检测认证、RoHS、REACH、AEC-Q200(被动元件汽车级质量认证)等标准。

  • 江西威齐

    江西威齐

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    江西威齐电器有限公司是一家专业生产、研发及销售电磁继电器、汽车继电器及磁保持继电器高新企业。目前生产的产品四大类,达四十个系列,一百种规格,年生产能力达三千多万只;广泛应用于智能家居、汽车及电动车控制、工业控制及新兴能源等领域。

  • 艾创微

    艾创微

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    合肥艾创微电子科技有限公司成立于2015年,总部位于合肥市肥西经开区,专注于研发高性能模拟及数模混合芯片,公司研发的产品包括车规级电源管理芯片、车规级信号链芯片、车规级电机驱动芯片及宽禁带半导体功率芯片,主要应用于新能源及新能源汽车、智能电网、新一代智能家电等领域。

  • 奥伦德

    奥伦德

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    奥伦德,1998年成立于广东深圳; 公司销售行政中心位于深圳龙岗天安数码城(另在上海设有分公司),龙岗行政中心自有办公室3000余平米; 坐落于广东江门的制造基地,自购几十亩亩地,建立起奥伦德现代化智能制造工业园区; 奥伦德元器件专业研发制造光电芯片及光耦,掌握芯片核心技术,IDM完整产业链结构; 奥伦德品牌光电耦合器现已发展为国内高端品牌,将近500品种型号,为通讯、电力、家电、车辆、新能源等各个行业提供服务。基本实现大部分品种能够PIN TO PIN对标欧、美、日系光耦。现阶段光耦月产能300KK,产销量综合位列国内前茅,未来5年公司持续扩产,成为国际光耦知名品牌。官网:HTTPS:// www.orient-opto.com

  • 济南晶恒

    济南晶恒

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    济南晶恒电子(集团)有限责任公司是一个综合性多元化的集团公司,始于1958年, 以研发与生产肖特基二极管、双向触发二极管、快恢复整流二极管、LED、引线框架、开关电源等为主导产业,在双向触发二极管的芯片制造

  • 恒率电源

    恒率电源

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    恒率科技(宁波)有限公司成立于2008年,专注优质混合集成电路模块化电源和新能源产品的研发生产销售和解决方案制造商。公司致力于工业高端尖端技术领域,现已全面服务于,公路铁路航空航天,船舶海洋深海勘测,工控、医疗、灯具、自动化、石油化工、安防监控,移动机站,5G智能家居,高端装备和高精密仪器仪表,物联网通讯通信,电力、轨道交通等工业4.0。公司已通过:ISO9001:2008质量管理体系认证,ISO14001环境管理体系认证,中国电源学会会员单位,拥有众多国家发明专利、实用新型专利、外观设计专利,及欧盟等国家几十项专利,且与国内多所高校建立校企合作,先后获评“《华芯邦杯》电源行业10强”等。

  • 华泰半导体

    华泰半导体

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    西安华泰半导体科技有限公司( HUATECH SEMICONDUCTOR,INC ,简称华泰) ,是一家专注于模拟/混合信号的芯片设计公司。

    http://www.ht-semi.com/

  • 航天民芯

    航天民芯

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    西安航天民芯科技有限公司成立于2011年2月,专注于高性能数据转换 器芯片、动力电池管理芯片及系统、MEMS传感器及运算放大器、电源 管理、微控制器芯片等混合信号核心芯片及解决方案的开发。 西安航天民芯科技有限公司目前拥有员工160人,其中博士20人、硕士 50人,核心研发骨干均有10年以上半导体集成电路开发经验

  • 普诚科技

    普诚科技

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    普诚科技为一专业IC设计公司,于2001年在台湾正式挂牌上柜。总公司位于台湾台北,并设立台湾新竹的研发中心,以及为服务亚洲区客户而设立之深圳、成都子公司与日本办事处。

  • ICDK

    ICDK

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    2001年成立于台湾桃园市,工厂位于桃园市龟山区;主要产品:分流器、复合材料采样电阻、合封电流检测芯片模组、半合封电流检测模组;分流器特色:毫欧等级超低阻抗( 0.1mΩ~5.0mΩ)、超低温漂(20PPM)、高精度±1%、耐突波、高瓦特数可耐大电流、RoHS产品;专注行业:园林工具、工业伺服电机、服务器电源管理、数字能源、电池检测设备、汽车;HTTPS: ://www.icdktech.com/cn/

  • 武汉瑞纳捷

    武汉瑞纳捷

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    武汉瑞纳捷半导体有限公司位于中国光谷集成电路设计产业园内,拥有1200平米研发办公大楼。公司具有国家商用密码生产定点单位许可、商用密码销售许可及多项商用密码产品型号资质.是国家级高新技术企业、工信部认证的集成电路企业,同时也是中国密码学会成员,中国智能交通协会成员,ICA联盟成员和中国LoRa应用联盟成员。

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  • 汽车电子

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  • 模块产品

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  • 工业电源

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  • 设计&方案

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行业动态
  • 【成都单片机MCU】华为AR Engine安装量已达到11亿次 相关产业链或迎爆发

    在FBEC2021上,华为VR/AR产品线总裁李腾跃表示,华为AR Engine安装量已达到11亿次,已覆盖机型106款,已接入应用超2000款成都单片机MCU,成都单片机随着近年来5G的迅速发展,国内公司开始投身于元宇宙。华为正式发布XR战略以及AR/VR Engine3.0。AR Engine是一款用于在Android上构建增强现实应用的引擎,包含AR Engine服务、AR Cloud服务与XRKit服务,其中XR Kit是基于AR Engine提供场景化、组件化的极简AR解决方案,二者均可实现虚拟世界与现实世界的融合,带来全新的交互体验。据华为预计,到2025年AR的市场规模将达到3000亿美元(折合人民

    2022-04-20 0 0 0 0
  • 【成都单片机MCU】IBM(IBM.US)联手三星发布“突破性”芯片设计,可减少85%能耗

    12月16日讯,近期,IBM(IBM.US)表示,其与三星合作在半导体设计上取得了“突破”,在旧金山举行的IEDM会议的第一天,这两家公司公布了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新设计,这种设计可以减少85%的能源消耗。成都单片机MCU,成都单片机据悉,IBM与韩国三星共同发布“垂直传输场效应晶体管”(VTFET) 芯片设计。与当前的鳍式场效应晶体管(FinFET)相比,VTFET有望带来翻倍的性能,减少85%能耗。IBM和三星声称,该工艺有朝一日可能允许手机在一次充电的情况下使用一整个星期,更加省电,从而减少对环境的影响。IBM在新闻稿中列出了这项技术带来的

    2022-04-20 0 0 0 0
  • 【成都单片机MCU】投资超10亿美元!特斯拉德州超级工厂主体部分年底前或完工

    11月24日讯,据报道,特斯拉提交给美国德克萨斯州许可和监管部门(TDLR)的公开文件显示,特斯拉计划向位于德克萨斯州奥斯汀的新汽车工厂投资10.6亿美元,并计划在今年年底前完成该工厂主体部分的建设。成都单片机MCU,MUC据悉,这个“超级工厂”位于奥斯汀郊外的Del Valle,占地约2000英亩(8.09平方公里),是特斯拉迄今为止占地面积较大的生产基地。它将是特斯拉继内华达州、纽约、上海和柏林超级工厂之后的第五家工厂,也将是继弗里蒙特、上海和柏林工厂之后的第四家汽车组装工厂。01特斯拉首席执行官马斯克曾表示,该工厂除了生产其电动皮

    2022-04-19 0 0 0 0
  • 开发MCU芯片的程序成本

    首先介绍什么是MCU?成都单片机MCU,MCUMCU微控制器单元,也称为单片机主控芯片,是中驱动处理器,可以适当降低频率和规格,可以减少内存,计数器,USB和A / D转换,等多个周边的接口,甚至LCD驱动电路都整合在单一芯片上,形成芯片级的计算机,为不同的应用场合做不同组合控制。比如移动设备,PC外围设备,多功能遥控器,甚至汽车电子等,都是MCU的展现舞台。触摸ic在此特指单点或多点触控技术、 IC、即集成电路,是半导体元件产品的统称。包括:集成电路板;二、三极管;特殊电子元件等;触摸IC即指触摸芯片。一、初期建模在结合触摸IC的

    2022-04-19 0 0 0 0
  • ISC-V在通用MCU领域发展的三大难题及解决方案

    现阶段32位MCU基本都是基于ARM架构的产品,用RISC-V做MCU面临平台移植和软件生态难题,无论是工程师,还是终端客户,从ARM转到RISC-V都需要付出巨大的学习成本。目前,大部分RISC-V的编译器都是基于Eclipse开发环境,对很多工程师而言难以上手。此外,RISC-V在通用MCU领域雷声大雨点小,芯片系列丰富程度不够,对工程师而言,产品选型也面临着困难。仅靠尝鲜的动力不足以驱动RISC-V在通用MCU市场快速发展。

    2022-02-28 0 0 0 0
  • IGBT的工作原理是什么

    IGBT 的等效电路如图1 所示。由图1 可知,若在IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET 导通,这样PNP 晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT 的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET 截止,切断PNP 晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。由此可知,IGBT 的安全可靠与否主要由以下因素决定:——IGBT 栅极与发射极之间的电压;——IGBT 集电极与发射极之间的电压;——流过IGBT 集电极-发射极的电流;——IGBT 的结温。如果IGBT 栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT 不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极

    2022-02-28 0 0 0 0
  • IGBT半导体器件市场格局及机会全析

    功率半导体器件是实现电能转换的核心器件。主要用途包括逆变、变频等。受惠于 5G 及电动车需求的显著增长,我们对功率半导体的市场发展持乐观 看法。本文重点讨论 IGBT/三代化合物半导体功率器件在技术推进和应用驱动下迎来新一轮发展机遇。1.功率半导体市场需求大增1.1.功率半导体概述功率半导体器件是实现电能转换的核心器件,主要用途包括逆变、变频等。功率半导体可以根据载流子类型分为双极型功率半导体和单极型功率半导体。双极型功率半导体包括功 率二极管、双极结型晶体管(BJT)、电力晶体管(GTR)、晶闸管、绝缘栅双极型晶体管

    2022-02-28 0 0 0 0
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